干刻蝕對于不同負(fù)載效應(yīng)造成選擇比差異導(dǎo)致的缺陷分析與解決方案

全部作者： 趙弘鑫 程秀蘭 第1作者單位： 中芯國際集成電路制造有限公司 論文摘要： 在半導(dǎo)體制造工藝的干法刻蝕（Dry Etching）中，對于刻蝕薄膜表面面積大小的差異性會造成負(fù)載效應(yīng)（Loading effect）。然而這種負(fù)載效應(yīng)影響到干刻蝕的蝕刻率（Etch Rate）和選擇比(Selectivity)而在產(chǎn)品上出現(xiàn)嚴(yán)重的缺陷。本文闡述了負(fù)載效應(yīng)的基本原理和造成選擇比差異性的成因以及對于由此產(chǎn)生產(chǎn)品缺陷的具體解決方案。 關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體制造，干法刻蝕，負(fù)載效應(yīng)，選擇比，缺陷 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月30日 同行評議：

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